GaN-Technologie ermöglicht hohe Ausgangsleistung von 2,5 kW bei Server-Netzteilen Im Jahr 2013 läuft bei Fujitsu Semiconductor…
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Vishay Intertechnology: Gut aufgestellt für volatilen Markt
Finanzielle Solidität, Schlüsselmärkte, verstärkte technische Ressourcen Dr. Gerald Paul, CEO von Vishay Intertechnology: “Wir sind gut…
Cree stellt hoch effizientes Hochfrequenz-Leistungsmodul auf Basis von Siliziumcarbid vor
Branchenweit erstes voll qualifiziertes und produktionsfertiges Power-Modul aus SiC CR5742 All-SiC Cree Power Module München, 12.…
Cree präsentiert neue Generation der 50-V-GaN-HEMT-Technologie
Transistoren ermöglichen signifikante Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen CR5680 50V GaN HEMT Devices München, 8. November…