Samsung startet Massenproduktion des weltweit schnellsten DRAMs – basierend auf neuester HBM-Schnittstelle (High Bandwidth Memory)

Samsung startet Massenproduktion des weltweit schnellsten DRAMs – basierend auf neuester HBM-Schnittstelle (High Bandwidth Memory)

Erstes 4-Gigabyte HBM2 DRAM erzielt sieben Mal höhere Datenübertragungsgeschwindigkeit als bisher schnellstes DRAM SEOUL, Korea, 19.…

Samsung startet Massenproduktion von Chips in 14nm-FinFET-Logikprozesstechnologie der zweiten Generation

Samsungs aktueller 14nm-Prozess bringt noch nie da gewesene Verbesserungen hinsichtlich Leistungsfähigkeit und Leistungseffizienz SEOUL, Korea, 14.…

Samsung startet Massenproduktion der branchenweit ersten 128-Gigabyte DDR4-Module für Enterprise Server

Samsung startet Massenproduktion der branchenweit ersten 128-Gigabyte DDR4-Module für Enterprise Server

Neue DRAM-Lösung von Samsung signalisiert den Kurs von TSV-Technologie in Richtung Mainstream-Applikationen mit High-Capacity Memory SEOUL,…

Samsung tritt dem Progressive SemiConductor Program von Audi unter dem Motto “Create the Drive of Tomorrow” bei

Samsung tritt dem Progressive SemiConductor Program von Audi unter dem Motto “Create the Drive of Tomorrow” bei

Als erster Zulieferer von Halbleiterspeichern im Programm macht Samsung seine industrieweit führenden Lösungen für Automotive-Applikationen verfügbar…